长沙软件制作价格 三星电子秘书量产1Tb QLC V-NAND存储芯片
【众人网科技轮廓报谈】9月15日音信长沙软件制作价格，近日，三星电子秘书已驱动量产其最新的NAND芯片——1Tb（太比特）四层单位（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。
继本年4月初次量产9th-Gen TLC V-NAND之后，三星再次引颈行业，推出更高存储密度的QLC科罚决策。这项新本领允许每个存储单位存储4位数据，从而在物理芯片上竣事更高的存储密度。
三星电子的QLC 9th-Gen V-NAND经受了多项蜕变本领，包括行业最初的通谈孔蚀刻本领，该本领通过双堆栈结构竣事了业界最高的层数。此外，通过优化存储单位面积和外围电路，与上一代QLC V-NAND比较，位密度提高了约86%。这些本领颠倒不仅普及了写入速率，还分袂将读取和写入功耗缩小了30%和50%。
三星电子现实副总裁兼闪存居品与本领认真东谈主SungHoi Hur示意：“跟着企业级SSD市集的快速增长，以及对AI运用需求的束缚加多，长沙软件制作价格咱们通过QLC和TLC 9th-Gen V-NAND的推出，将不竭沉稳咱们在高性能固态硬盘市集的指令地位。”
三星盘算将QLC 9th-Gen V-NAND的运用规模从破钞级居品推广到挪动通用闪存（UFS）、个东谈主电脑和干事器SSD，以缓和包括云干事提供商在内的普通客户需求。
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