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软件开发公司 NEO告示推出3D X-AI芯片: 神经相聚性能进步100倍, 功耗裁减99%!
发布日期:2024-08-16 10:41 点击次数:84
7月19日音讯,在好意思国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 FMS 2024(内存和存储的夙昔)会议上,NEO Semiconductor 首席实行官 Andy Hsu 告示,将推出 一款篡改游戏规矩的 3D DRAM——3D X-AI,具有 AI 措置功能,将数据存储和数据措置联接在单个芯片中,将神经相聚(ANN)性能提高 100 倍,功耗裁减 99%。
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Andy Hsu示意,基于NEO 的3D X-DRAM时候,3D X-AI模拟东说念主工神经相聚,包括用于权重数据存储的突触和用于数据措置的神经元,软件开发公司使其额外符合加快下一代AI芯片和行使。3D X-AI 可替代高带宽内存 (HBM),有望权贵股东 AI 芯片蓄意和 AI 职责负载优化。
app据先容,单个 3D X-AI 芯片包括 300 层 3D DRAM,容量为 128 Gb,以及 1 层神经相聚电路,具有 8,000 个神经元,每个芯片因循高达 10 TB/s的 AI 措置朦拢量。使用 12 个堆叠 HBM 封装的 3D X-AI 芯片,只需一个 3D X-AI 芯片,即可将 3D X-AI 芯片的容量和性能进步 12 倍,达到 1,536 Gb (192 GB) 容量和 120 TB/s 的措置朦拢量。
“典型的东说念主工智能芯片使用基于措置器的神经相聚。这波及联接高带宽内存来模拟用于存储权重数据的突触和图形措置单位 (GPU) 来模拟用于实行数学计较的神经元。性能受到HBM和GPU之间数据传输的驱散软件开发公司,往来数据传输会裁减AI芯片性能并增多功耗,“NEO独创东说念主兼首席实行官Andy Hsu说:“具有 3D X-AI 的 AI 芯片使用基于内存的神经相聚。这些芯片具有神经相聚功能,每个 3D X-AI 芯片中皆有突触和神经元。在实行 AI 操作时,它们用于大幅减少 GPU 和 HBM 之间数据传输数据的费事职责负载。咱们的 3D DRAM极地面提高了 AI 芯片的性能和可捏续性。”